Основная задача нашей организации - исследование и разработка высокотехнологичных видов энергонезависимой памяти, основанной на полупроводниковой RRAM - технологии. Данная технология характеризуется низким энергопотреблением, высоким сроком службы и возможностью записи больших объёмов информации.
В последние годы было разработано множество видов электронных запоминающих устройств для хранения цифровой информации, такие как Flash-память, FeRAM, MRAM, PMC, PCM и ряд других. Среди них одним из наиболее молодых и перспективных энергонезависимых запоминающих устройств является резистивная память с произвольным доступом (сокр.RRAM-Resistive Random Access Memory). В отличии от наиболее распространенных на сегодняшний день flash-накопителей, данный вид памяти обладает невысокой стоимостью, простотой производства, высокой стабильностью сохранения состояния, низким рабочим смещением и неразрушающим считыванием. Благодаря отличной масштабируемости RRAM, она обладает огромным потенциалом для трехмерной интеграции массива памяти с высокой плотностью.
